Вчені наблизилися до створення надшвидкого комп'ютера

Вчені наблизилися до створення надшвидкого комп'ютера
Фазова пам'ять дозволить створювати комп'ютери, які будуть миттєво включатися і вимикатися
Як повідомляє CNews з посиланням на журнал Science, вчені Кембріджського університету на чолі зі Стівеном Еліотом досягли швидкості запису інформації в комірку пам'яті PRAM (пам'яті на основі фазового стану речовини) в 500 пікосекунд.

За словами вчених, завдяки новому прориву фазова пам'ять стала ще на крок ближче до споживача. Така пам'ять зможе замінити сучасні технології зберігання даних і дозволить створювати комп'ютери, які будуть миттєво включатися і вимикатися.

До теперішнього часу процес кристалізації в фазової пам'яті, тобто записи бітів даних, займав понад 1-10 нс. При цьому матеріали, здатні кристалізуватися швидше, з часом, в умовах знижених температур, досить швидко втрачали вибудувану молекулярну структуру, і цілісність даних порушувалася.

Розробкою фазової пам'яті займаються кілька компаній, і за останні роки в цій сфері було скоєно кілька важливих проривів. Так, наприклад, в середині 2011 р. корпорація IBM оголосила про те, що їй вдалося створити фазову пам'ять з багаторівневою структурою - записати в одну клітинку два біти даних (по аналогії з сучасною флеш-пам'яттю). Корпорація Intel в 2008 р. приступила до пробним постачанням мікросхем фазової пам'яті, пізніше це зробили Numonyx і Samsung.

загрузка...